切割、研磨、拋光容易忽視的操作環(huán)節(jié)要注意了

       研磨拋光，切割前應(yīng)對其定向，確定切割面，切割時首先將鋸片固定好，被切晶體材料固定好，切割速度選擇好，切割時不能不用切割液，它不僅能沖洗鋸片，而且還能減少由于切割發(fā)熱對晶體表面產(chǎn)生的損害，切割液還能沖刷切割區(qū)的晶體碎渣。

　　切割下來的晶片，要進入下一道工序研磨。首先要用測厚儀分類測量晶片的厚度進行分組，將厚度相近的晶片對稱粘在載料塊上。粘接前，要對晶片的周邊進行倒角處理。粘片時載料塊溫度不易太高，只要固定臘溶化即可，晶片最好擺放在載料塊的最外圈，粘片要對稱，而且要把晶片下面的空氣排凈（用鐵塊壓實）。防止產(chǎn)生載料塊不轉(zhuǎn)和氣泡引發(fā)的碎片的現(xiàn)象。在研磨過程中適時測量減薄的厚度，直到工藝要求的公差尺寸為止。

　　使用研磨拋光機前要將設(shè)備清洗干凈，同時為保證磨盤的平整度，每次使用前都要進行研盤，研盤時將修整環(huán)和磨盤自磨，選用研磨液要與研磨晶片的研磨液相同的磨料進行，每次修盤時間10分鐘左右即可。只有這樣才能保證在研磨時晶片表面不受損傷，達到理想的研磨效果。

　　拋光前要檢查拋光布是否干凈，拋光布是否粘的平整，一定要干凈平整。進行拋光時，拋光液的流量不能小，要使拋光液在拋光布上充分飽和，一般拋光時間在一小時以上，期間最好不停機，因為停機，化學(xué)反應(yīng)仍在進行，而機械摩擦停止，造成腐蝕速率大于機械摩擦速率，而使晶片表面出現(xiàn)小坑點。

　　設(shè)備的清洗非常重要，清洗是否干凈將直接影響磨、拋晶片的質(zhì)量。每次研磨或拋光后，都要認真將設(shè)備里外清洗干凈。